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41.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。  相似文献   
42.
用方位密度成像测井资料计算水平井钻遇地层倾角的方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
Schlumberger公司的随钻方位密度测井(ADN)可以提供井周16个方位的密度成像资料,为过井眼的地质界面产状的计算提供了方便.对于垂直井或大斜井,当井眼穿过一个有明显电测响应变化的地质界面时,利用井壁成像资料可以方便地描述地质界面的产状;对于水平井,由于井眼轨迹基本与地层平行,井眼轨迹常常只能穿越地层界面.传统的对界面产状的描述方法已不再适用.提出了一种利用方位密度成像测井计算水平井井旁地层产状的方法.希望随着测井新技术的出现不断完善新的解释方法,以提高随钻方位密度测井的使用范围和精度.  相似文献   
43.
基于进化算法的常减压装置模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了基于优选优生进化算法(Select—best and prepotency evolution algorithm,SPEA)的常减压装置模拟方法。以各塔的温度分布为目标,基于生产过程和分析数据,采用SPEA确定各塔板Murphree效率,从而精确描述各塔板平衡偏离程度。在实际应用中,获得具有良好精度的常减压装置模型。系统分析了SPEA算法的关键参数——优选领域大小与计算复杂性及寻优性能之间的关系,结果显示其取值为群体规模的10%最为合适。  相似文献   
44.
油水井措施经济效益分析方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对油气藏产量下降,经济效益变差的情况,为提高油气井产量,提高油气藏采收率,从经济学的角度出发,确定出了油水井措施效益分析时的各个参数的选定和取法,并建立了措施经济效益评价方法,为实施油水井进一步开发制定相应的决策提供了参考依据.  相似文献   
45.
介绍了日产不锈钢薄钢带裂纹的修复方法,通过焊接试验得到了防止裂纹出现的有效焊接工艺参数,其经验可为类似设备的维护使用提供参考。  相似文献   
46.
提出并比较了应用于分组空时块码(G—STBC)系统中两种不同信道模型的排序最大信噪比(MaxSNR)检测算法。该系统在发端对发射天线分组,每组进行独立的空时块码编码;在收端应用排序最大信噪比算法进行检测。由于空时块码提供了额外的时域约束,所以可以利用这个约束对信道模型进行变换,得到一个等效信道模型,然后再使用排序MaxSNR检测;当然也可以直接利用原有的信道模型,即非等效信道模型进行检测。仿真结果表明:当接收天线数不少于发射天线数的一半时,采用等效信道模型下的排序MaxSNR算法,系统的误码曲线就能保持陡降性;并且在收发天线数相同时,其性能总是优于非等效信道模型。  相似文献   
47.
SOI光电子集成   总被引:2,自引:0,他引:2  
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。  相似文献   
48.
为了进一步提高渤海油田J3井区缔合聚合物驱的技术经济效果,在渤海油田室内配方和先导性矿场试验研究基础上,利用化学驱油藏数值模拟软件FAPMS,分析和研究了高浓度缔合聚合物前置段塞、主段塞的大小和浓度以及段塞组合方式对驱油效果的影响,优化设计了渤海绥中油田J3井区块矿场试验的最佳注入程序及段塞大小。结果表明,通过对不同浓度的疏水缔合聚合物注入的前置段塞及主段塞和梯度式后续段塞的优化后,原油采收率比未优化时提高了约10个百分点。研究表明,渤海油田应该高度重视聚合物驱的注入方式和段塞优化设计,进一步提高聚合物的技术经济效果。  相似文献   
49.
空时分组码技术结合信道编码、调制和天线分集技术,当发送天线一定时,他的解码复杂度正比于发送速率,在3G标准中,该技术有着重要的地位。对空时分组码及相关知识进行了介绍,并对可变速率的空时分组码设计进行了探讨,最后展望了空时分组码技术的应用前景。  相似文献   
50.
超级电容在手机电源中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
超级电容又称法拉电容,是指其容量为法拉级的电容。文章介绍了应用超级电容作为手机电池的总体思路并重点介绍了其充电电路、升压电路和控制电路的设计。该电池具有充电快、寿命长、免维护并且环保等特点。  相似文献   
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